专业：微电子学与固体电子学
研究方向：宽禁带半导体材料与器件
邮箱：fuchen@sdjtu.edu.cn
微信号：juzihongle2006
招生专业领域：机械专业机器人工程领域
个人简介：
付晨，男，中共党员，1982年生，山东济南人，微电子学与固体电子学专业博士，副教授，现就职我院我院，主要从事宽禁带半导体材料与器件方面的研究工作。
在科研方面，2014-2024年主持山东省自然科学基金1项（1/4），参与国家级自然科学基金2项（2/5、5/8），发表SCI论文18篇（第一作者3篇、通讯作者2篇）。
熟练掌握全套半导体器件制造与测试工艺流程，熟练掌握半导体材料清洗工艺，红外线对准曝光机，电子束蒸发，Aglient半导体测试分析仪、网络测试分析仪等设备的操作，而积累了较为丰富的实验及理论分析经验。多次负责客座教授、专家的接待及科研交流工作，与中科院微电子所，苏州纳米所，西安电子科技大学，杭州电子科技大学，中国电子科技集团十三所，中国工程物理研究院等多家科研院所建立了良好的合作关系，并与国内多家半导体材料与生产单位建立了密切联系，在超净实验室的建设及维护，实验耗材和设备的选购上积累了较为丰富的经验，除已收录及发表文章外，目前有多项研究在进行中，并有多篇论文在后期处理和编写中。
教学研究方面，2019-2024年连续主持省级思政课题1项、教育部产学协同项目1项，校级重大、一般教研项目各1项，参与并结题省级教研项目2项；获批省级一流课程一项（1/3），重点参与建设国家级一流课程、省级课程思政示范课程2项（2/5），省级示范性基层教学组织1项（3/19），出版教材一部。2018-2024年连续获得省级教学成果奖二等奖1项（2/9），省级优秀共享课程一等奖1项（2/5），省级在线教学优秀案例一等奖1项（2/3），校级教学成果奖特等奖1项（4/10）；获国家级教学比赛二等奖1项（1/4），全国课程思政优秀教改论文一等奖1项（1/2），省级教学比赛二等奖2项（1/4，2/3），校级教学比赛一等奖3项；获评2023年学院学位点骨干教师，2020年校级优秀教师。
先后指导学生获全国应用技能人才大赛国家级二等奖1项，山东省网络安全大赛一等奖2项，二等奖、三等奖各1项。
主持主要科研项目：
[1] 2024年，用于电动汽车OBC的新结构GaN功率器件的制备与性能提升研究，1/4，山东省自然科学基金委员会；
[2] 2024年，增强型GaN基功率器件定制，1/1，横向；
[3] 2021年，GaN微波HEMT器件定制，1/1，横向；
[4] 2020年，AlGaN/GaN基HEMT器件工艺研发，1/1，横向；
代表性论文：
[1] Effect of device size on conduction channel effective width and polarization Coulomb field scattering intensity of split-gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transis
Yang Liu, Chen Fu*, Guangyuan Jiang, Guangyuan Zhang, Guang Yang, Yuanjie Lv and Zhaojun Lin. Journal of Applied Physics. 134.16 (2023). (SCI, IF: 3.2)
[2] Influence of polarization Coulomb field scattering on the electrical properties of normally-off recessed gate AlGaN/GaN metal–insulator–semiconductor high-electron-mobility transistor with ALD-Al2O3 gate dielectric stack
Guangyuan Jiang, Peng Cui, Yang Liu Guang Yang, Yuanjie Lv, Chen Fu*, Guangyuan Zhang* and Zhaojun Lin. Solid-State Electronics. 201 (2023): 108579. (SCI, IF: 1.7)
[3] Determination of the Strain Distribution for Passivated AlGaN/AlN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors
Chen Fu, Zhaojun Lin, Yan Liu, Peng Cui, Yuanjie Lv, Yang Zhou, Gang Dai, and Chongbiao Luan. Superlattices and Microstructures. 111 (2017) 806. (SCI, IF: 3.1)
[4] A new method to determine the 2EDG density distribution for passivated AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
Chen Fu, Zhaojun Lin, Peng Cui, Yuanjie Lv, Yang Zhou, Gang Dai, and Chongbiao Luan， Huan Liu and Aijie Cheng. Superlattices and Microstructures. 113 (2018) 160. (SCI, IF: 3.1)
[5] The influence of the polarization Coulomb field scattering on the electrical properties of the AlGaN/AlN/GaN HEMTs after the Si3N4 surface passivation
Chen Fu, Zhaojun Lin, Yan Liu, Peng Cui, Yuanjie Lv, Yang Zhou, Gang Dai, and Chongbiao Luan. Applied Physics A. 124 (2018) 299. (SCI, IF: 2.7)
[6] A lightweight model for efficient identification of plant diseases and pests based on deep learning
Hongliang Guan, Chen Fu, Guangyuan Zhang.* Kefeng Li, Peng Wang And Zhenfang Zhu. Frontiers in Plant Science 14 (2023): 1227011. (SCI, IF: 5.6)
[7] Polarized Coulomb field scattering in LaAlO3/SrTiO3 heterojunction field-effect transistors
Baocai Fan, Yichen Liu, Chen Fu, Zhaojun Lin, and Sean Li. Solid-State Electronics. 201 (2023): 108579. (SCI, IF: 1.7)
[8] Influence of the ZrO2 gate dielectric layer on polarization coulomb field scattering in InAlN/GaN metal–insulator–semiconductor high-electron-mobility transistors
Guangyuan Jiang., Peng Cui., Guangyuan Zhang., Yuping Zeng, Guang Yang., Chen Fu., Zhaojun Lin., Mingyan Wang. And Heng Zhou. Microelectronics Journal 129 (2022): 105602. (SCI, IF: 2.2)
[9] Growth of Large-Size SnS Thin Crystals Driven by Oriented Attachment and Applications to Gas Sensors and Photodetectors
Jun Wang, Gang Lian, Zhenghao Xu, Chen Fu, Zhaojun Lin, Liyi Li, Qilong Wang,Deliang Cui, and Ching-Ping Wong. Applied Materials & Interfaces.8 (2016) 9545. (SCI, IF: 9.5)
[10] A method to determine electron mobility of the two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
PengCui, ZhaojunLin, ChenFu, YanLiu, YuanjieLv. Superlattices and Microstructures. 110 (2017)289. (SCI, IF: 3.1)
[11] Effect of post-annealed floating gate on the performance of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors,
Peng Cui, Zhaojun Lin, Chen Fu, Yan Liu, and YuanJie Lv, Chinese Physics B, 26 (2017) 127102. (SCI, IF: 1.7)
[12] Effect of polarization Coulomb field scattering on device linearity in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors,
Peng Cui, Yuanjie Lv, Zhaojun Lin, Chen Fu, and Yan Liu, Journal of Applied Physics, 122 (2017) 124508. (SCI, IF: 3.2).
发明专利：
[1] 提高AlGaN/GaN异质结场效应晶体管线性度的方法，专利号：CN107742643B，林兆军,崔鹏,吕元杰,杨铭,付晨,杨勇雄；
[2] 一种用于轨道扣件除锈养护的机器人及其工作方法，ZL201910064797.4，张广渊;郭世浩（学）;靳华磊;赵峰;王国锋;王朋;李克峰;潘为刚;谢振华;付晨;王书新。
主要教改项目获奖：
[1] 主持建设课程《数字信号处理》被公示为第三批山东省线上线下混合式一流课程（1/3）；
[2] 第二届全国高校混合式教学设计创新大赛二等奖（1/4）；
[3] 山东省普通高等学校教师教学创新大赛省级二等奖（副教授组：1/4）；
[4] 重点参与建设首批国家级一流本科课程《人工智能基础》（2/5）；
[5] 重点参与建“多型态双结合‘智能+’复合型人才培养嵌入式课程体系构建与实践”获评山东省第九届教学成果奖二等奖（2/9）
[6] 重点参与建设课程《Python语言高级应用》获批山东省普通高校研究生教育课程思政示范课程（2/5）；
[7] 重点参与建设课程《人工智能基础》获批山东省普通本科教育课程思政示范课程（2/5）。
