专业：微电子学与固体电子学
研究方向：GaN 基高频大功率电子器件和功能模块，集成电路工程
邮箱：jgybestabc@163.com
微信号：jgybest123
招生专业领域：机械专业机器人工程领域
个人简介：姜光远，2021年毕业于山东大学，获工学博士学位。现为我院我院讲师，硕士生导师。主要从事 GaN 基高频大功率器件和功能模块研究，研究内容主要包括：GaN 基电子器件电学性能研究、GaN基电子器件建模和GaN 基功率放大器模块性能提升研究。作为项目负责人，主持国家自然科学基金青年科学基金项目1项，我院科研基金1项。作为主要参与人参与过国家自然科学基金面上项目、山东省自然科学基金面上项目等课题的研究。在Microelectronics Journal、Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures、Solid-State Electronics等国际主要学术期刊发表SCI论文16篇，其中第一作者论文7篇。相关研究成果完善和发展了GaN基电子器件的极化库仑场散射理论，这一理论系统论述了GaN基电子器件与极化效应相关的载流子散射机制，完善了GaN基电子器件的输运理论，这些研究为GaN基电子器件电学性能优化提供重要理论基础，有利于加快GaN基电子器件在新能源汽车车载充电器，工业机器人电机驱动器、5G毫米波通信基站等高频、大功率领域的应用。
主要科研项目：
[1] 国家自然科学基金青年科学基金项目，GaN基金属-介质层-半导体高电子迁移率晶体管中栅介质层与极化库仑场散射的关联关系研究，2024.1-2026.12，30万，项目主持人。
[2] 我院科研基金项目, 极化库仑场散射对AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件电学特性影响机制研究, 2024.01-2025.12，3万，项目主持人。
[3] 国家自然科学基金面上项目，极化库仑场散射应用于GaN基异质结场效应晶体管器件建模的研究，2020.1-2023.12，68万，项目参与人。
[4] 山东省自然科学基金面上项目，用于电动汽车OBC的新结构GaN功率器件的制备与性能提升研究，2024.1-2026.12, 10万，项目参与人。
代表性论文：
[1] Guangyuan Jiang, Peng Cui, Yang Liu, Guang Yang, Yuanjie Lv, Chen Fu*, Guangyuan Zhang*, and Zhaojun Lin, Influence of polarization Coulomb field scattering on the electrical properties of normally-off recessed gate AlGaN/GaN metal–insulator–semiconductor high-electron-mobility transistor with ALD-Al2O3 gate dielectric stack, Solid-State Electronics, 201, 108579, (2023). SCI.
[2] Guangyuan Jiang, Peng Cui*, Guangyuan Zhang*, Yuping Zeng, Guang Yang, Chen Fu, Zhaojun Lin, Mingyan Wang, and Heng Zhou, Influence of the ZrO2 gate dielectric layer on polarization coulomb field scattering in InAlN/GaN metal–insulator–semiconductor high-electron -mobility transistors, Microelectronics Journal,129, 105602, (2022). SCI.
[3] Guangyuan Jiang, Yuanjie Lv, Zhaojun Lin*, Yongxiong Yang, Yang Liu, and Yan Zhou, The mechanism of the enhanced intensity for polarization Coulomb field scattering in AlN/GaN heterostructure field effect transistors with submicron gate length, Solid-State Electronics, 186, 108164, (2021). SCI.
[4] Guangyuan Jiang, Yuanjie Lv, Zhaojun Lin*, Yang Liu, Mingyan Wang, and Heng Zhou, The relationship between AlGaN barrier layer thickness and polarization Coulomb field scattering in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors, Superlattices and Microstructures,156, 106987, (2021). SCI.
[5] Guangyuan Jiang, Yan Liu, Zhaojun Lin*, Guohao Yu, Baoshun Zhang, Yuanjie Lv, Yang Liu, and Yan Zhou, The influence of polarization Coulomb field scattering on the parasitic source resistance of E‑mode P‑GaN/AlGaN/GaN heterostructure field‑effect transistors, Applied Physics A, 127, 458, (2021). SCI.
[6] Guangyuan Jiang, Yuanjie Lv, Zhaojun Lin*, Yongxiong Yang, and Yang Liu, The influence of Al composition in AlGaN barrier layer on polarization Coulomb field scattering in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures, 127, 114576, (2021). SCI.
[7] Guangyuan Jiang, Yuanjie Lv, Zhaojun Lin*, Yongxiong Yang, Yang Liu, Shuoshuo Guo, and Yan Zhou, Polarization Coulomb field scattering with the electron systems in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors, AIP Advances, 10, 075212, (2020). SCI.
