个人简介：
付晨，男，汉族，1980年10月生，微电子学博士，副教授，中共党员。主要从事宽禁带半导体材料与器件 、人工智能基础教育等方面的教学科研工作，先后完成《人工智能基础》《数字信号处理》等课程的教学任务。
目前从事科学研究工作（近5年）
2021年主持教育部产学合作协同育人项目一项，主持并结题校级教研项目一项；参与省级教研项目两项，校级教学团队一项；重点参与建设首批国家级一流课程、省级课程思政示范课程、校级混合式金课《人工智能基础》（2/5）。
2018-2022年连续获得省级教学成果奖二等奖一项（2/9），校级教学成果奖特等奖一项（4/10）；获国家级教学比赛二等奖一项（1/4），卓越奖一项（1/1，全国前60），全国课程思政优秀教改论文一等奖一项（1/2）；省级教学比赛二等奖两项（1/4，2/3），校级教学比赛一等奖三项，二等奖二项，三等奖一项，获评2020年校级优秀教师称号；以副主编身份参与编写北京理工大学出版社出版教材《计算机仿真技术》。
代表性科研项目
（1）2016，AlGaN/AlN/GaN电力电子器件中极化库仑场散射机制研究,2/5，国家自然科学基金委员会；
（2）2016，极化库仑场散射与GaN基异质结场效应晶体管源、漏寄生串联电阻关联关系研究，国家自然科学基金委员会；
代表性论文、著作、教材及专利
1. Influence of polarization Coulomb field scattering on the electrical properties of normally-off recessed gate AlGaN/GaN metal–insulator–semiconductor high-electron-mobility transistor with ALD-Al2O3 gate dielectric stack,Guangyuan Jiang, Peng Cui, Yang Liu, Guang Yang, Yuanjie Lv, Chen Fu*, Guangyuan Zhang, and Zhaojun Lin,Solid State Electronics, 201, 108579, (2023).
2. Determination of the Strain Distribution for Passivated AlGaN/AlN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors Chen Fu, Zhaojun Lin, Yan Liu, Peng Cui, Yuanjie Lv, Yang Zhou, Gang Dai, and Chongbiao Luan. Superlattices and Microstructures. 111 (2017) 806. (SCI, IF: 2.123)
3. A new method to determine the 2EDG density distribution for passivated AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors Chen Fu, Zhaojun Lin, Peng Cui, Yuanjie Lv, Yang Zhou, Gang Dai, and Chongbiao Luan， Huan Liu and Aijie Cheng. Superlattices and Microstructures. 113 (2018) 160. (SCI, IF: 2.123)
4. The influence of the polarization Coulomb field scattering on the electrical properties of the AlGaN/AlN/GaN HEMTs after the Si3N4 surface passivation Chen Fu, Zhaojun Lin, Yan Liu, Peng Cui, Yuanjie Lv, Yang Zhou, Gang Dai, and Chongbiao Luan. Applied Physics A. 124 (2018) 299. (SCI, IF: 1.455)
5. Effect of polarization Coulomb field scattering on device linearity in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors,Peng Cui, Yuanjie Lv, Zhaojun Lin, Chen Fu, and Yan Liu, Journal of Applied Physics, 122 (2017) 124508. (SCI, IF: 2.068)
6. Effect of post-annealed floating gate on the performance of AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors,Peng Cui, Zhaojun Lin, Chen Fu, Yan Liu, and YuanJie Lv, Chinese Physics B, 26 (2017) 127102. (SCI, IF: 1.223)
7. Influence of the gate position on source-to-drain resistance in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors Yan Liu, Zhaojun Lin, Peng Cui, Jingtao Zhao, Chen Fu, Ming Yang, and Yuanjie LvAIP Advances. 7 (2017) 085309. (SCI, IF: 1.568)
8. Parasitic source resistance at different temperatures for AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistor-s Yan Liu, Zhao-Jun Lin, Yuan-Jie Lv, Peng Cui, Chen Fu, Ruilong Han, Yu Huo, Ming YangChin. Phys. B. 26 (2017) 097104. (SCI, IF: 1.223)
9. A method to determine electron mobility of the two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors PengCui, ZhaojunLin, ChenFu, YanLiu, YuanjieLv. Superlattices and Microstructures. 110 (2017)289. (SCI, IF: 2.123)
10. Growth of Large-Size SnS Thin Crystals Driven by Oriented Attachment and Applications to Gas Sensors and Photodetectors Jun Wang, Gang Lian, Zhenghao Xu, Chen Fu, Zhaojun Lin, Liyi Li, Qilong Wang,Deliang Cui, and Ching-Ping Wong. Applied Materials & Interfaces.8 (2016) 9545. (SCI, IF: 7.504)
11. Influence of different GaN cap layer thicknesses on electron mobility in AlN/GaN heterostructure field-effect transistors Peng Cui , Huan Liu , Zhaojun Lin, Aijie Cheng , Yan Liu, Chen Fu ,Yuanjie Lv , Zhihong Feng , Chongbiao Luan. Superlattices and Microstructures.100 (2016) 358. (SCI, IF: 2.123)
12. Influence of Different Gate Biases and Gate Lengths on Parasitic Source Access Resistance in AlGaN/GaN Heterostructure FETs Peng Cui, Huan Liu, Wei Lin, Zhaojun Lin, Aijie Cheng, Ming Yang, Yan Liu, Chen Fu, Yuanjie Lv, and Chongbiao Luan. IEEE TED.64 (2017)1038. (SCI, IF: 2.605)
13. Enhanced effect of diffused Ohmic contact metal atoms for device scaling in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors Huan Liu, Aijie Cheng, Zhaojun Lin, Peng Cui, Yan Liu, Chen Fu, Yuanjie Lv, Zhihong Feng, Chongbiao Luan. Superlattices and Microstructures.103 (2017) 113. (SCI, IF: 2.123)
14. Effect of Polarization Coulomb Field Scattering on Parasitic Source Access Resistance and Extrinsic Transconductance in AlGaN/GaN Heterostructure FETs Ming Yang, Zhaojun Lin, Jingtao Zhao, Peng Cui, Chen Fu, Yuanjie Lv, and Zhihong Feng IEEE TED. 63 (2016)1471. (SCI, IF: 2.605)
15. Study of Gate Width Influence on Extrinsic Transconductance in AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors With Polarization Coulomb Field Scattering Ming Yang, Yuanjie Lv, Zhihong Feng, Wei Lin, Peng Cui, Yan Liu, Chen Fu, and Zhaojun Lin IEEE TED. 63 (2016)3908. (SCI, IF: 2.605)
16. First International Semiconductor Conference for Global Challenges(2017).Title:The Influence of Surface Passivation on the Electron Mobility of the AlGaN/AlN/GaN HEMTs
17. 第二十一届全国半导体物理学术会议 (2017)题目: 表面钝化后AlGaN/AlN/GaN HFETs势垒层中应变分布的确定方法
编写教材：
2020. 《计算机仿真技术》副主编 北京理工大学出版社
2007. 《数字信号处理》 主编 山东科学技术出版社
2008. 《信号与系统》 主编 山东科学技术出版社
2007. 《移动通信技术》 副主编 山东科学技术出版社
2008. 《高频电子线路》 参编 山东科学技术出版社
获奖情况
(1)2020，课程《人工智能基础》国家级线上线下混合式一流本科课程(2/5)
(2)2020，课程《人工智能基础》山东省线上线下混合式一流本科课程(2/5)
(3)2022，获山东省第九届教学成果奖二等奖（位次：2/9）
(4)2022,课程《Python语言高级应用》获批山东省普通高校研究生教育课程思政示范课程（2/5）
(5)2021，课程《人工智能基础》获批山东省普通本科教育课程思政示范课程（2/5）
(6)2020，第二届全国高校混合式教学设计创新大赛二等奖（1/4）
(7)2021，山东省普通高等学校教师教学创新大赛省级二等奖（副教授组，1/4）
(8)《人工智能基础“课程思政”教育探究与实践》获得交通强国战略下的交通运输类专业课程思政教学研讨会课程思政优秀教改论文一等奖（1/2）
(9)2022，《人工智能基础》获山东省高等学校课程联盟2022年度在线教学优秀案例（课程教学类）一等奖（2/3）
(10)2022年10月，《人工智能基础》获山东省高等学校课程联盟2022年度优秀共享课程一等奖（2/5）
(11)2020年，山东省第六届高校教师信息化教学比赛二等奖（位次：2/3）
(12)2019年，我院混合式教学比赛学校一等奖，《人工智能基础》课程获批我院混合式金课（2/3）
(13)2022，山东省普通高等学校教师教学创新大赛校内选拔赛副高组一等奖（1/4）
(14)2021，山东省普通高等学校教师教学创新大赛校内选拔赛一等奖（1/4）
(15)2022年，《数字信号处理》2022年校级思政示范课程（1/1），
(16)2022年，《数字信号处理》2022年校级优秀课程思政教学案例（1/1）
(17)2022年，《人工智能基础》获我院“督导推优-优质示范课堂”一等奖（2/2）
(18)2022年，首届山东省本科高等学校课程思政教学比赛校内选拔赛二等奖（1/4）
(19)2020年，面向应用型本科专业的“人工智能+”支撑课程体系建设研究与实践-我院2019校级教学成果奖特等奖（2/5）
(20)2020年，我院教师课堂教学比赛二等奖（1/1）
(21)2022年，获批校级师德标兵
(22)2020年，获批校级优秀教师
